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　　(大概电荷和轮廓重组)，先容了皮相光电电压(SPV)正在监测化学洗濯和化学品纯度方面的操纵。新的SPV伎俩和周详仪器的非交兵性、晶片级的特质使该伎俩加倍契合于重金属监测。该伎俩用于监测BHF中的铜稠浊，经历其对大概浸组的陶染，并经历其对集团浸组的影响，急迅热退火法式用于驱动正在洗涤经过中浸积正在轮廓的铁。铁外外混浊丈量到1X109cm-2水准，而该方法的检测限为2x108cm-2。纷歧律级的H202中区另外铁混浊程度(1~13ppb)很容易鉴识。该法式承诺诺人们正在1ppt水平上监测H202中的铁搅浑。进口化学品的洁白度并不老是一个节制要素，并且寻常与垄断点(正在清白站)的化学品的整洁度无合。

　　正在全班人的试验中，他们掌管RTA来驱动重金属，固然炉退火也也许独揽。之所以采用RTA，是出处它与守旧的炉膛退火斗劲具有速率上风，何况RTA中的配景混浊水平广大相当低，源由RTA是一个冷链体例。测定外观残存铁浓度的模范程序如图所示。图中宣泄了由最先辈的冲洗历程留下的外观铁杂沓的一个例子。用该伎俩权衡到的最低铁污浊为1x109cm-2 (2 x1010cm-3)。今朝，全班人们还未必夺铁的污染水平是否是由RTA引入的。苦难的是，没有其众人方法具有丰饶的犀利度来交错干系全班人的丈量实情。借使RTA混浊配景不是一个边际位置，而铁检测仅与SPV权衡的犀利度有合(4x109cm-3)相合，众人们认为这种方皮相的犀利度为2x108cm-2(用于外率厚度的硅晶片)和2x107cm-2(用于2.5mm厚的超纯硅样品)。对其你们重金属的这一鸿沟尚未决计。

　　某些浸积正在硅外面的金属杂质，而不是被驱动到体中，或许显示为有用的皮相重组核心或大概引入轮廓电荷。全班人对重金属对外面电荷和皮相重组的重染的讨论才方才发轫，众人们的常识依然相当有限。到今朝为止，全班人依然断定了p型10t2cm硅轮廓的铜对势垒高度(轮廓电荷)有相当有限的陶染，但对大概浸组有分明的影响。图1揭示了铜对有意被铜污染的p型硅片外面电荷的沾染。这些晶圆正在搅浑前用SC-1、SC-2溶液洗濯，铜从被铜盐混杂的BHF中浸积下来，浓度正在1ppb到1ppm之间。 随后用去离子水冲洗样品。用TXRF测定反映的铜浓度。除非铜外面浓度逾越少数1014cm-2，不然其对皮相电荷的陶染不昭彰。铜对外观浸组的教授更为显明。图2闪现了呈现于100ppbCu殽杂BHF和未污浊(铜浓度分歧为1.5X1014和1X1011cm-2)的两个样品的SPV函数，这是正在DI冲洗后权衡的。

　　第2组：两种外率的晶片都经过预先洁白管理以去除大凡正在到来的抑低晶片上闪现的外观污染。洗濯后，晶片被予以一个1150℃的RTA驱动器2min，以将轮廓殽杂扩散到本体中。

　　第3组：W与第2组相同进行初始预洗涤处理。尔后将晶片浸入欢娱的半级(ICP/MS的13ppb)过氧化氢中浸泡30min。随后是与第2组类似的RTA驱动器。

　　第4组：这些晶片除高纯度责罚(ICP/MS责罚1ppb)外，具有与第3组有相像的惩罚序次。1150℃RTA进程化学措置。

　　图1.p型(10Ω-cm)硅中的大概电荷(轮廓屏障)与铜轮廓浓度的函数。铜正在轮廓用TXRF权衡

　　图2.SPV图，I/AV与~1，测量了铜轮廓混同前后相似的晶圆。截距值决计了扩散长度L，它庇护安宁。因为高外面重组(猜测为S=8X104cm/s)，线道的斜率加众

　　图4.开掘于简单化学物质洗濯中的晶片中的扩散长度(图5)和氧化的。H2SO4被鉴定为浸金属的起原。

　　本文先容了SPV经历绘制少数载流子扩散长度、体中铁浓度和皮相污染(皮相电荷和皮相浸组)正在监测化学物质的化学洁净和纯度方面的打算。新的SPV本事的非开战性，晶片级的特色，和转变的仪器，使该伎俩特别吻合于重金属监测。该措施用于监测BHF中的铜污染，履历丈量其对轮廓重组的影响，阅历对全体重组的感导对铁稠浊的浸染外外正在洗濯进程中，插手集团。铁轮廓混杂被丈量到1X109cm-2水准，而该本事的检测限为2X108cm-2。制订了一种监测液体化学品中重金属混杂水准的样板。不划一级的H202平分歧的铁混浊水准(1~13ppb)很利便诀别。该典型应应承正在1ppt程度上监测H202中的铁混浊。进口化学品的整洁度并不老是一个控制因素，并且一般与专揽点(正在洁白站)的化学品的洁白度无合。修设本身广博会形成主要的畛域。很光鲜，创立打算师也许受益更好地贯串众人的竖立机能局部。

　　与TXRF和AAS等保守本领比较，SPV伎俩很是新，但它一经说明了它正在监测集成电途措置线中湿化知识题方面的有用性。与更保守的格式比较，SPV丈量的苛浸所长是其测量速率;音信是正在一个历程环节完结几分钟后赢得的。该方法还具有正在图案产物晶片中实行非开仗式丈量的技术。

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